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BC857B-7-F中文资料

BC857B-7-F图片

BC857B-7-F外观图

  • 大小:107.7KB
  • 厂家:Diodes Inc.
  • 描述: TRANSISTOR, PNP, SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-650mV; Current Ic Continuous a Max:-100mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:220; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):15nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BC857B-7-F-NDBC857B-7-FDITR

BC857B-7-F供应商

更新时间:2023-01-03 18:35:53
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